MOSFETs Silicon N-Channel MOS 600V,38A (DTMOS) ماسفت قدرت N کانال 600 ولت 38 آمپر توشیبا RDS(on) = 0.055
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.055 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 1.9 mA)
3. Packaging and Internal Circuit
TO-247
موارد استفاده :
انواع سوئیچینگ
ماینر ها
پاور های صنعتی
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
38A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
600V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
- |
|
ID(HIGH TEMP) |
38A |
|
IDM-IDP |
155A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
270W |
| RDS(on) |
0.055Ω |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
50ns |
|
td(off) |
200ns |
|
Trr |
450ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
خازنی در رده کیفیت متوسط و قابل قبول و معمولی ساخت چین 105 درجه سایز 35 در 60
دیود فست / عمومی 100 ولت 200 میلی آمپر 4 نانو ثانیه /4ns ,200mA ,100V,DO-35 ,DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
توری یا گارد یا محافظ فن سایز 20 در 20 FAN GUARD 200*200mm
میکروکنترلر 32 بیتی با فلش 128K و رم 20K با فرکانس 72 مگاهرتز Medium-density performance line ARM®-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 com. interfaces
