ماسفت قدرت 100 ولت 180 آمپر N کانال RDS=1.4 - 40V 195A Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع ماینر ها
دی سی موتور ها
سوئیچینگ ها سرعت بالا
Applications
DC Motor Drive
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Optimized for Logic Level Drive
Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS
Superior R*Q at 4.5V VGS
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سری |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
195A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
(VGS(th |
- |
|
( ID(25°C |
195A |
|
(ID(HIGH TEMP |
195A |
|
IDM-IDP |
1372A |
|
(PD(TA=25°C |
- |
|
(PD(TC=25°C |
372W |
| (RDS(on |
1.4mΩ |
|
(td(ON |
- |
|
tr |
- |
|
(td(off |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
16.51x10.66x4.82mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
ایسی ساخت انواع منابغ تغذیه و باتری شارژر low power switch mode control 85V—265V wide range AC power input
مقاومت5 % کربنی 1 وات
مقاومت کربنی56 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
