X2-Class HiPerFETTM Power MOSFET, N CHANNEL, 650V, 80A, TO-247 ماسفت قدرت 650 ولت 80 آمپر IXYS اریجینال
استفاده در :
منابع تغذیه
ماینرها
مبدل های دی سی به دی سی
مدارات PCF
درایورهای موتور AC به DC
و...
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Features
International Standard Packages
Low RDS(ON) and QG
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
PFC Circuits
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
80A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
650V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
80A |
|
ID(HIGH TEMP) |
- |
|
IDM-IDP |
160A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
890W |
| RDS(on) |
38mΩ |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
16.03x21.10x5.16mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IXYS |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال -واردات از Digi-Key اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 8*12 خازن الکترولیت
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 180 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
دیودالترا فست 1000 ولت 1 آمپر / Fast / Ultrafast Diode, 1000 V, 1 A, Single, 1 V, 50 ns, 30 A ,DO-15 trr =50
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 3 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
