600V,48A CoolMOSª P7 Power Transistor ماسفت قدرت N کانال 600 ولت 48 آمپر اینفینئون RDS(on) =60m
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
استفاده در انواع پاورها
سرورها
اداپتورها
ال سی دی
مخابراتی
ماینر miner
MOSFET
600V CoolMOSª P7 Power Transistor
The CoolMOS™ 7th generation platform is a revolutionary technology for
high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction
(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V
CoolMOS™ P7 series is the successor to the CoolMOS™ P6 series. It
combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with excellent ease
of use, e.g. very low ringing tendency, outstanding robustness of body
diode against hard commutation and excellent ESD capability.
Furthermore, extremely low switching and conduction losses make
switching applications even more efficient, more compact and much
cooler.
Features
• Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding
commutation ruggedness
• Significant reduction of switching and conduction losses
• Excellent ESD robustness >2kV (HBM) for all products
• Better RDS(on)/package products compared to competition enabled by a
low RDS(on)*A (below 1Ohm*mm²)
• Fully qualified acc. JEDEC for Industrial Applications
Benefits
• Ease of use and fast design-in through low ringing tendency and usage
across PFC and PWM stages
• Simplified thermal management due to low switching and conduction
losses
• Increased power density solutions enabled by using products with
smaller footprint and higher manufacturing quality due to >2 kV ESD
protection
• Suitable for a wide variety of applications and power ranges
Potential applications
PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages
for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom
and UPS.
موارد استفاده :
انواع سوئیچینگ
ماینر ها
پاور های صنعتی
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
48A |
نوع کانال |
N-CHANNEL |
VDS-VDSS |
600V |
VGS-VGSS |
±30V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
- |
ID(HIGH TEMP) |
30A |
IDM-IDP |
151A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
- |
RDS(on) |
60mΩ |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
1 |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
infineon |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اورجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
مخابرات کانکتوری(بی سیم)-آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 200 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
BZX55C3V3 Zener Diodes 3.3V 500mW دیود زنر 3.3 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
بردخام پل H دارای 4 عدد IGBT بسیار خوش ساخت -دارای ترانس پالس بر روی برد (براحتی دستگاه جوش تولید کنید) پیچ خور استاندارد- کد 09-1400 ضخامت و کیفیت بسیار بالا
ایسی ساخت انواع منابغ تغذیه و باتری شارژر low power switch mode control 85V—265V wide range AC power input