ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا چینی (کپی) Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV)
900V,9A MOSFET,TO-3P
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا کپی
دریافت دیتا شیت
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
900 ولت 9 آمپر
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سری |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-3P |
|
ولتاژکاری |
900V |
|
جریان کاری |
9A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
900V |
|
VGS-VGSS |
±30V |
|
(VGS(th |
2.5-4.5V |
|
(ID(25°C |
9A |
|
(ID(HIGH TEMP |
5.7A |
|
IDM-IDP |
27A |
|
(PD(TA=25°C |
- |
|
(PD(TC=25°C |
150W |
| (RDS(on |
1-1.28Ω |
|
(td(ON |
21.67ns |
|
tr |
29.73ns |
|
(td(off |
83.73ns |
|
Trr |
715ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
19.5x15.5x4.4mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
توشیبا کپی |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
قابل قبول |
| نوع مونتاژ | DIP |
برد خام 8 ای جی بی تی دستگاه IGBT آمپر 250 - تغذیه بر روی برد - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
دیود عمومی 1000 ولت 1 آمپر - 1A,1000V ,DO-41 ,1.0A General Purpose Rectifier بهترین کیفیت و اورجینال ساخت تایوان
مقاومت کربنی6.8 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
کانکتور مخابراتی مربعی سیم دار صاف 3 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
