N-CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,40V,202A TO-220 ماسفت قدرت 40 ولت 202 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=0.4 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
202A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
202A |
|
ID(HIGH TEMP) |
143A |
|
IDM-IDP |
808A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
333W |
| RDS(on) |
0.4mΩ |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
101ns |
|
td(off) |
46ns |
|
Trr |
78-117ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
مکزیک |
|
کیفیت |
کیفیت عالی-ارجینال مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC درایور سه فاز 600 ولت 420 میلی آمپر ton/off (typ.) 675 & 425 ns
برد خام وسط دستگاه 12 ماسفتی - برد 3 ترانسفورمره - قابلیت نصب سلف خروجی - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
خازن MKT ظرفیت1 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors POLYESTER 1nF 100V 102j100V 1000pf 1000 پیکوفاراد
خازن( فیلم)پلی استر 2.2 نانوفاراد 63 ولت 2.2NF/63V
