N-CHANNEL HEXFET® Power MOSFET,40V,202A TO-220 ماسفت قدرت 40 ولت 202 آمپر IR مکزیک اریجینال RDS=0.4 میلی اهم
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
40V |
|
جریان کاری |
202A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
40V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
202A |
|
ID(HIGH TEMP) |
143A |
|
IDM-IDP |
808A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
333W |
| RDS(on) |
0.4mΩ |
|
td(ON) |
17ns |
|
tr |
101ns |
|
td(off) |
46ns |
|
Trr |
78-117ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
مکزیک |
|
کیفیت |
کیفیت عالی-ارجینال مکزیک |
| نوع مونتاژ | DIP |
23A,250V, 0.14 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 250 ولت 23 آمپر RDS(on) = 0.14
40A 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. This SMPS, TO-247 ای جی بی تی 40 آمپر فست 600 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مقاومت5 % کربنی 1 وات
ماسفت 20 ولت6 آمپر N کانال - N-Channel Enhancement Mode MOSFET 20V,6A