ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت ایفینیون اورجینال المان/ نسل 5 و جدیدترین تولید دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 75A, 600 V, High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with full-rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode
استفاده در اکثر صنایع از جمله :
منابع تغذیه -پاور سوپلای
مبدل های خورشیدی
اینورتر ها
کانوتر های فرکانس متوسط به بالا
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with full-rated
RAPID 1 fast and soft antiparallel diode
Features and Benefits:
High speed H5 technology offering
• Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant
topologies
• Plug and play replacement of previous generation IGBTs
• 650V breakdown voltage
• Low gate charge QG
• IGBT copacked with full-rated RAPID 1 fast and soft antiparallel
diode
• Maximum junction temperature 175°C
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models:
http://www.infineon.com/igbt/
Applications:
• Uninterruptible power supplies
• Solar converters
• Welding converters
• Mid to high range switching frequency converters
Package pin definition:
• Pin 1 - gate
• Pin 2 & backside - collector
• Pin 3 - emitte
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
75A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
90A |
IC(HIGH TEMP) |
75A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
395W |
VGE(th) |
3.2-4.8V |
VCE(sat) |
1.65V |
ICM-IC PULSE |
300A |
IF(25°C) |
90A |
IF(HIGH TEMP) |
75A |
td(ON) |
28ns |
tr |
33ns |
td(off) |
174ns |
Trr |
92ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.21x21.17x5.57mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
INFINEON |
کشور سازنده |
اتریش |
کیفیت |
ارجینال اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
مقاومت کربنی15 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
ماسفت 100 ولت 20 آمپرN کانال - 100V,20A SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
ترانزیستور NPN ولتاژ30 ولت3 آمپر 3A, 30V, POWER TRANSISTORS NPN SILICON TO-126
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII) 900V,5A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 900 ولت 5 آمپر توشیبا ژاپن DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications