1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
24A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
45A |
IC(HIGH TEMP) |
24A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
200W |
VGE(th) |
3-6V |
VCE(sat) |
1.65-2V |
ICM-IC PULSE |
220A |
IF(25°C) |
- |
IF(HIGH TEMP) |
24A |
td(ON) |
46ns |
tr |
27ns |
td(off) |
110-170ns |
Trr |
24ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
دمای کاری |
150+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
1200V,75A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 75 آمپر -سمیکرون اریجینال
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 0805 - SMD RESISTOR 15 کیلو اهم 0805 تلرانس 5 درصد
ترانزیستور NPN ولتاژ400 ولت 12 آمپر 100 وات پکیج بزرگ NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400V,12A,100W TO-3P
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 8 پین(مادگی) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر