1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
24A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
45A |
|
IC(HIGH TEMP) |
24A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
24A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
27ns |
|
td(off) |
110-170ns |
|
Trr |
24ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
600V, 75 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال بدون دیود هرزگرد
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 26 آمپر IR فیلیپین
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری22 اهم 10 وات 22R10W 22R
مقاومت کربنی3.9 مگا اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
