1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing
دریافت دیتا شیت
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
24A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
45A |
|
IC(HIGH TEMP) |
24A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
200W |
|
VGE(th) |
3-6V |
|
VCE(sat) |
1.65-2V |
|
ICM-IC PULSE |
220A |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
24A |
|
td(ON) |
46ns |
|
tr |
27ns |
|
td(off) |
110-170ns |
|
Trr |
24ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.90x20.30x5.30mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد الترا فست |
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین ساخت چین سایز خازن الکترولیت
برد کنترل یا اسیلاتور خام دستگاه جوش های IGBT با جریان های 140 و 160 و 200 و 250 آمپری 8IGBT OR 4 IGBT ایسی UC3846 کد AT-CONT-I-1
مقاومت اس ام دی 5 درصد پکیج 1206 - SMD RESISTOR 300 اهم 1206 تلرانس 5 درصد
BZX55C20 Zener Diodes 20V 500mW دیود زنر20 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)