09120786892
atrinelectronic@gmail.com تهران پاساژ امجد طبقه1 واحد 16

G4PH50UD/IRG4PH50UDPbF اورجینال ساخت مکزیک

ای جی بی تی IRG4PH50UDPbF
1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست
تعداد
تخفیف
قیمت
+1
220,400 تومان
+20
2.6 %
214,600 تومان
+100
5.3 %
208,800 تومان

نقد و بررسی اجمالی

1200V,24A,IGBT WITH INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ای جی بی تی 24 آمپر 1200 ولت با دیود هرزگرد الترا فست

 

اریجینال شرکت IR
INTERNATIONAL RECTIFIER

Features

UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package
Benefits
• Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBT's . Minimized recovery characteristics require
less/no snubbing

 دریافت دیتا شیت

دریافت  کتابخانه( ALITUM  DESIGNER )

مشخصات:

مشخصات - پارامترها

مقادیر

خانواده

IGBT

سریIGBT

IGBT Transistors

تعداد پین

3

پکیج

TO-247

ولتاژکاری

1200V

جریان کاری

24A

VCE

1200V

 IC(25°C)

45A

 IC(HIGH TEMP)

24A

VGE

±20V

Ptot-PD

200W

VGE(th)

3-6V

VCE(sat)

1.65-2V

ICM-IC PULSE

220A

 IF(25°C)

-

 IF(HIGH TEMP)

24A

td(ON)

46ns

tr

27ns

td(off)

110-170ns

Trr

24ns

IGBT PACK

1

Thermistors

-

ابعاد

15.90x20.30x5.30mm

دمای کاری

150+~55-

برند

IR

کشور سازنده

-

کیفیت

اریجینال
نوع مونتاژ DIP

ویژگی خاص

دیود هرزگرد الترا فست

 

به سبد خرید اضافه شد.
سبد خرید
Item removed. بازگرداندن