40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
Features
• VCE = 1200 V
• IC = 40 A
• Very low VCE,sat
• Low EMI
• Very soft, fast recovery antiparallel diode
• Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/
Potential applications
• Uninterruptible power supplies
• Welding converters
• Converters with high switching frequency
ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
80A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
220W |
VGE(th) |
- |
VCE(sat) |
2-2.4V |
ICM-IC PULSE |
160A |
IF(25°C) |
80A |
IF(HIGH TEMP) |
40A |
td(ON) |
48ns |
tr |
57ns |
td(off) |
290ns |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.15x21.16x5.28mm |
دمای کاری |
150+~40- |
برند |
INFINEON |
کشور سازنده |
اتریش |
کیفیت |
اریجینال اتریش واردات از Digi-Key اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ 40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ای سی جریان حلقه 4 تا 20 میلی آمپر -کاربردی در تامین جریان پل وتسون 4-20mA CURRENT LOOP TRANSMITTERS
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری15 اهم 10 وات 15R10W 15R