ترانزیستور دارلینگتون NPN ولتاژ120- ولت 20- آمپر Silicon PNP Darlington Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -100V(Min.)
·High DC Current Gain-
: hFE= 750(Min.)@IC= -10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE (sat)= -3.0V(Max.)@ IC= -20A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as output devices in complementary
general purpose amplifier applications
500V N-Channel MOSFET,TO-3P 16.5A, 500V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V ماسفت قدرت 500 ولت16.5 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
ای سی 6 گیت نات High-Speed CMOS Logic Hex Buffers, Inverting and Non-Inverting
1N4748A Zener Diodes 22V 1W دیود زنر22 ولت 1 وات(1000میلی وات)
کریستال 16 مگا هرتز CRYSTAL 16.000 MHZ 10PPM R160ZYC4F
