25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
1200V |
|
جریان کاری |
25A |
|
VCE |
1200V |
| IC(25°C) |
50A |
|
IC(HIGH TEMP) |
25A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
348W |
|
VGE(th) |
5-6-7V |
|
VCE(sat) |
2-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
100A |
|
IF(25°C) |
25A |
|
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
|
td(ON) |
73ns |
|
tr |
41ns |
|
td(off) |
269ns |
|
Trr |
100ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
MAGNACHIP |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
خازن MKT ظرفیت220 نانو فاراد 100 ولت Film Capacitors MKT220nF 100V 224j100V
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 55 A Field Stop IGBT
600 ولت 400 آمپر-ماژول دیود اند مشترک و بدنه (هیت سینک)نیپا Rectifiers 600V 400A Ultrafast nippa
دیود فست 300 میلی آمپر 100 ولت ولتاژ معکوس/300mA,100V ,4 ns ,SOD80 Small Signal Fast Switching Diodes trr =4ns
