ترانزیستورPNP ولتاژ 200- ولت500- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -200V,-500mA PNP TRANSISTOR
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
|
|
تعداد پین |
|
|
پکیج |
|
|
ولتاژکاری |
|
|
جریان کاری |
|
|
VCBO |
|
|
VCEO |
|
|
VEBO |
|
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
- |
|
IB |
- |
|
IBM |
- |
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
|
|
FT |
|
|
ابعاد |
5.20x5.33x4.19mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
ماسفت قدرت 900 ولت 9 آمپر توشیبا چینی (کپی) Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 900V,9A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت WXDH چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 650V, 50 A Field Stop IGBT
ترانزیستور PNP ولتاژ60 -ولت 6 - آمپر 4A, -60V, POWER TRANSISTORS PNP SILICON TO-126 -
