ترانزیستور PNP ولتاژ100- ولت 6- آمپر Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -100V,- 6A, 65 W, TO-220
دریافت دیتا شیت
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
PNP Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
6A- |
|
VCBO |
- |
|
VCEO |
- |
|
VEBO |
- |
|
IC |
|
|
ICM-ICPULSE |
|
|
IB |
|
|
IBM |
|
|
VCE(sat) |
|
|
VBE(on)-VBE(sat) |
|
|
hFE(min) |
|
|
hFE(max) |
|
|
ptot-PD |
65W |
|
FT |
|
|
ابعاد |
10.42x15.31x4.98mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
|
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اورجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
ای جی بی تی 30 آمپر 600 ولت ST اریجینال اروپایی/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 50 کیلو هرتز/ 30A, 600 V, very fast IGBT,TO-247/ GW20NC60VD
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
E27(EEL-27) ترانس پالس با نسبت 1 به 1 دستگاه های IGBT برند HS اریجینال و با کیفیت بالا
ترانزیستور NPN ولتاژ60 ولت 10 آمپر Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60V,10A, 75W, TO-220
