ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-126 |
|
ولتاژکاری |
300V |
|
جریان کاری |
1A |
|
VCBO |
300V |
|
VCEO |
300V |
|
VEBO |
9V |
|
IC |
1A |
|
ICM-ICPULSE |
3A |
|
IB |
0.75A |
|
IBM |
1.5A |
|
VCE(sat) |
1V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
1.2V |
|
hFE(min) |
5 |
|
hFE(max) |
25 |
|
ptot-PD |
40W |
|
FT |
10MHZ |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ON SEMICONDUCTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MJE13002 designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly
suited for 115 and 220V switchmode applications such as
switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor
control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.
FEATURES
*Collector-Emitter Sustaining Voltage:
VCEO (sus)=300V.
*Collector-Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A
*Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @IC=1.0A
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 16*25 خازن الکترولیت
ای سی تاچ اسکرین مقاومتی (صفحه لمسی) با مبدل ولتاژ 12 بیتی داخلی و رفرش 125 کیلو هرتز با قابلیت تنظیم حساسیت توسط پایه VREF بین 1 تا 5 ولت TOUCH SCREEN CONTROLLER
مقاومت کربنی3 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.25w Axial resistor
ترانزیستور PNP ولتاژ100- ولت 15- آمپر Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -100V,- 15A, 90W, TO-220
