ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ترانزیستور |
|
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-126 |
|
ولتاژکاری |
300V |
|
جریان کاری |
1A |
|
VCBO |
300V |
|
VCEO |
300V |
|
VEBO |
9V |
|
IC |
1A |
|
ICM-ICPULSE |
3A |
|
IB |
0.75A |
|
IBM |
1.5A |
|
VCE(sat) |
1V |
|
VBE(on)-VBE(sat) |
1.2V |
|
hFE(min) |
5 |
|
hFE(max) |
25 |
|
ptot-PD |
40W |
|
FT |
10MHZ |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
150+~65- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
چین |
|
کیفیت |
بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
ON SEMICONDUCTOR
HIGH VOLTAGE
FAST-SWITCHING NPN
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC MJE13002 designed for use in high–volatge, high
speed,power switching in inductive circuit, It is particularly
suited for 115 and 220V switchmode applications such as
switching regulator’s,inverters, DC-DC converter, Motor
control, Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.
FEATURES
*Collector-Emitter Sustaining Voltage:
VCEO (sus)=300V.
*Collector-Emitter Saturation Voltage:
VCE(sat)=1.0V(Max.) @IC=1.0A, IB =0.25A
*Switch Time- tf =0.7μs(Max.) @IC=1.0A
HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
ترانزیستور PNP ولتاژ60 ولت 1.5 آمپر 1.5A 60V, POWER TRANSISTORS PNP SILICON TO-126
دیود شاتکی 150 ولت20 آمپر پکیج پلاستیک / Diode Schottky 150V Through Hole TO-220F
شنت 250 آمپری قوی و سیمی انواع دستگاه های جوش و برش و اینورتر تایوانی - الیاژی و بسیار با دوام MADE IN TAIWAN
