-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB ماسفت قدرت 55- ولت 31 آمپر RDS(on) = 60mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
-55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Summary of Features
Benefits
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ماسفت |
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220 |
ولتاژکاری |
55V- |
جریان کاری |
31A |
نوع کانال |
P-CHANNEL |
VDS-VDSS |
55V- |
VGS-VGSS |
±20V |
VGS(th) |
- |
ID(25°C) |
31A- |
ID(HIGH TEMP) |
22A- |
IDM-IDP |
110A |
PD(TA=25°C) |
- |
PD(TC=25°C) |
- |
RDS(on) |
- |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
- |
Trr |
- |
MOSFET PACK |
- |
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
دمای کاری |
175+~55- |
برند |
IR |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال IR |
نوع مونتاژ | DIP |
ماسفت قدرت 500 ولت 25 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P/ Rds=0.27Ω
مخابرات کانکتوری(بی سیم) - آبی ترانسدیوسر Transducers Open loop current sensor based on the principle of Hall-effect سنسور حلقه باز اثر هال 0 تا 400 آمپری اریجینال خروجی 4 ولت
سایز 21 در 11.5 سانتیمتر-برد رکتیفایر یا 8 دیودی 40 امپر دستگاه جوش مدل 250 آمپری IGBT نویزگیر TDK ژاپن خروجی ترانس مرکزی بزرگ استفاده از VDR
ماژول دیود فست 400 ولت 300 آمپر (دو عدد دیود 150 آمپری) nippa/300A 400V Ultra-FRD module