Schottky Barrier Rectifier, 1A, 40V دیود شاتکی 40 ولت 1 آمپر - سایز 58 میلی متر
Schottky Barrier Rectifier, 1A, 40V
دیود شاتکی 40 ولت 1 آمپر
The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The Schottky Rectifier¿s state-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.
| Features | |
|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ویژگی |
مقادیر |
|
خانواده |
دیود |
|
سری دیود |
شاتکی |
| تعداد پین | 2 |
| پکیج |
DO-41 |
| ولتاژکاری |
40V |
| جریان کاری |
1A |
| توان |
- |
| VZ |
- |
| VRRM | 40V |
| VRMS |
28V |
| VDC |
- |
|
VF |
- |
| (IF(AV)-I(AV |
1A |
|
IFRM |
- |
|
IFSM |
25A |
|
(IR(25°C |
1mA |
|
(IR(HIGH TEMP |
10mA |
|
CJ |
- |
|
Trr |
- |
|
ابعاد |
3.05x3.05x6.60mm |
|
دمای کاری |
125+~65- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
تایوان |
|
کیفیت |
ارجینال |
|
نوع مونتاژ |
DIP |
|
ویژگی خاص |
- |
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
دیود فست 600 ولت 60 آمپر 35 نانو ثانیه 60A,600V TO-247 ,Fast Recovery Epitaxial Diode trr = 35ns
مقاومت5 % کربنی 2 وات
مقاومت کربنی5.1 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor