برخی محصولات سایت

LM324

قیمت 11,300 تومان

اورجینال-کیفیت بالا-چیپ تایوان

سبد خرید

مقاومت 200R-1206-5% SMD - بسته 100 تایی

16,600 تومان قیمت 12,100 تومان

ساخت چین

سبد خرید

خازن الکترولیتی 10000UF/6.3V

قیمت 18,300 تومان

کیفیت بالا-ساخت چین

سبد خرید

محصولات ویژه

MDS200-16

قیمت 1,386,100 تومان

اورجینال ساخت نیپا - کد JP ژاپن

سبد خرید

نوک هویه گرداک فابریکی تیپ B

قیمت 121,200 تومان

فابریکی گرداک -کیفیت بالا(آترین الکترونیک نماینده رسمی گرداک در ایران)

سبد خرید

دسته هوای گرم 5 سیمه هیترهای GORDAK فابریکی

قیمت 405,000 تومان

واردات مستقیم -اورجینال گرداک

سبد خرید

75N60FL2/NGTB75N60FL2WG اولین بار در ایران - اریجینال خرید از دیجی کی اتریش

NGTB75N60FL2WG

75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

479,600 تومان

موجودی:

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

جایگزین: K75H603/IKW75N60H3 برند: ON SEMI پکیج: TO-247 وزن: 6.0g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: IGBT معمولی و ماژول Discrete،سه پایه تمام IGBT ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

دریافت دیتا شیت

75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال

دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	IGBT
سریIGBT	IGBT Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-247
ولتاژکاری	600V
جریان کاری	75A
VCE	600V
IC(25°C)	100A
IC(HIGH TEMP)	75A
VGE	±20V
Ptot-PD	595W
VGE(th)	4.5-5.5-6.5V
VCE(sat)	1.5-1.75-2V
ICM-IC PULSE	200A
IF(25°C)	100A
IF(HIGH TEMP)	75A
td(ON)	110ns
tr	48ns
td(off)	270ns
Trr	80ns
IGBT PACK	1
Thermistors	-
ابعاد	16.25x21.34x5.30mm
دمای کاری	175+~50-
برند	ON SEMI
کشور سازنده	-
کیفیت	اریجینال خرید از دیجی کی اتریش
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding