75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
75A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
100A |
IC(HIGH TEMP) |
75A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
595W |
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
VCE(sat) |
1.5-1.75-2V |
ICM-IC PULSE |
200A |
IF(25°C) |
100A |
IF(HIGH TEMP) |
75A |
td(ON) |
110ns |
tr |
48ns |
td(off) |
270ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
دمای کاری |
175+~50- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
مبدل USB به UART ، مبدل یو اس بی به سریال ،دارای رگولاتور 3.3 ولت داخلی،قابلیت راه اندازی در اینترفیس UART و FIFO و BIT-BANG IO و کلی امکانات دیگر USB to UART Interface
ای سی 4 گیت اند دو ورودی CMOS AND Gates
دیود فست 600 ولت 60 آمپر 35 نانو ثانیه 60A,600V TO-247 ,Fast Recovery Epitaxial Diode trr = 35ns
IGBT 15A ,1200V TO-220 ای جی بی تی 15 آمپر 1200 ولت