40A, 650 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
80A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
375W |
VGE(th) |
4-5-6V |
VCE(sat) |
1.95-2.4V |
ICM-IC PULSE |
160A |
IF(25°C) |
40A |
IF(HIGH TEMP) |
20A |
td(ON) |
58ns |
tr |
54ns |
td(off) |
245ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اولین بار در ایران - اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
General Description
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching
series and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & Inverter applications
Features
High Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A
Eoff = 0.35mJ @ TC = 25°C
High Input Impedance
trr = 80ns (typ.) @diF/dt = 1000A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Applications
PFC
UPS
PV Inverter
Welder
IH Cooker
NTC ان تی سی 8 اهم ساخت کره جنوبی- کیفیت بالا وبا دوام مقاومت وابسته به دما(کم شونده) قطر20 میلیمتر RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, NTC, 8 ohm, THROUGH HOLE MOUNT
600V,30A IGBT,TO-3P ای جی بی تی قدرت 600 ولت 30 آمپر توشیبا ژاپن بدون دیود هرزگرد
ای سی تقویت کننده صوت ،آمپلی فایر صدا 2 کاناله 37 وات 4 اهم و ولتاژ کاری 18 ولت ،دارای فانکشن ST-BY و DIAGNOSTICFACILITIES و امکانات دیگر 2 x 37W DUAL/QUAD POWER AMPLIFIER FOR CAR RADIO
مقاومت1 % کربنی 2 وات کیفیت بالا و صنعتی