40A, 650 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
40A, 650 V, Low Loss DuoPack
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
650V |
جریان کاری |
40A |
VCE |
650V |
IC(25°C) |
80A |
IC(HIGH TEMP) |
40A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
375W |
VGE(th) |
4-5-6V |
VCE(sat) |
1.95-2.4V |
ICM-IC PULSE |
160A |
IF(25°C) |
40A |
IF(HIGH TEMP) |
20A |
td(ON) |
58ns |
tr |
54ns |
td(off) |
245ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اولین بار در ایران - اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
General Description
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching
series and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & Inverter applications
Features
High Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.95V @ IC = 40A
Eoff = 0.35mJ @ TC = 25°C
High Input Impedance
trr = 80ns (typ.) @diF/dt = 1000A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Applications
PFC
UPS
PV Inverter
Welder
IH Cooker
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 500V,15A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 15 آمپر توشیبا ژاپن
ماژول آی جی بی تی 1200 ولت 50 آمپر دوبل
مقاومت کربنی18 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
600V, 40 A Ultrafast IGBT ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 600 ولت فیرچایلدON اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا