25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
25A,1200 V, Low Loss DuoPack
ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
25A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
50A |
IC(HIGH TEMP) |
25A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
348W |
VGE(th) |
5-6-7V |
VCE(sat) |
2-2.4V |
ICM-IC PULSE |
100A |
IF(25°C) |
25A |
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
td(ON) |
73ns |
tr |
41ns |
td(off) |
269ns |
Trr |
100ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
HEXFET® Power MOSFET, IRF740N, N CHANNEL POWER MOSFET, 400V, 10A, TO-220AB ماسفت قدرت 400 ولت 10 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 55mΩ
مقاومت کربنی30کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
سوکت 32 پین آی سی -فاصله پین تا پین 2.54 میلیمتر - IC Sockets, 32Pin- Material: Black Thermoplastic Contact: Tin-Plated Alloy
Schottky Barrier Rectifier, 2A, 100V دیود شاتکی 100 ولت 4 آمپر -