25A, 1200 V, Low Loss DuoPack ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
25A,1200 V, Low Loss DuoPack
ای جی بی تی الترا فست 25 آمپر 1200 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
25A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
50A |
IC(HIGH TEMP) |
25A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
348W |
VGE(th) |
5-6-7V |
VCE(sat) |
2-2.4V |
ICM-IC PULSE |
100A |
IF(25°C) |
25A |
IF(HIGH TEMP) |
12.5A |
td(ON) |
73ns |
tr |
41ns |
td(off) |
269ns |
Trr |
100ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.26x20.30x5.31mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
MAGNACHIP |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(SAT),
high switching performance and excellent quality.
This device is for PFC, UPS & PV inverter and Welder
Applications.
Features
High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss
VCE(sat) = 2.0V @IC = 25A
High Input Impedance
trr = 100ns (typ.) @ diF/dt = 500A/ μs
Maximum junction temperature 175°C
Pb-free ; RoHS compliant
Ultra Soft, fast recovery anti-parallel diode
Ultra Narrowed VF distribution control
Positive Temperature coefficient for easy paralleling
42A,100V, 0.240 Ohm, N-Channel HEXFET® Power MOSFET ماسفت قدرت N کانال 100 ولت 42 آمپر فیلیپین RDS(on) = 0.036
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری 2.2 اهم 5 وات 2.2R5W 2.2R
ماژول 1200 ولت 200 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,200A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge
دیود سه فاز 1600 ولت 35 آمپر 35Amp 1000V. SILICON/GLASS PASSIVATED THREE PHASE BRIDGE RECTIFIERS