Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 26 آمپر IR فیلیپین
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
ماسفت قدرت 55 ولت 26آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.040
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V |
|
جریان کاری |
26A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
26A |
|
ID(HIGH TEMP) |
18A |
|
IDM-IDP |
100A |
|
PD(TA=25°C) |
0.37W |
|
PD(TC=25°C) |
56W |
| RDS(on) |
0.040Ω |
|
td(ON) |
7ns |
|
tr |
49ns |
|
td(off) |
31ns |
|
Trr |
57-86ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an
extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide
acceptance throughout the industry.
(لاک پاور) کانکتور پاور قفل دار صاف 2 پین(نری) - فاصله پایه 3.96 میل 250 ولت 10 آمپر
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری3.3 کیلو اهم 10 وات 3.3K10W 3.3K
مقاومت کربنی20 اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
N-channel MOSFER 150V, 100A TO-220 ماسفت 150 ولت100 آمپر
