60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
60A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT
ای جی بی تی 60 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اریجینال
مگناچیپ- مگنا چیپ
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
60A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
100A |
|
IC(HIGH TEMP) |
60A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
428W |
|
VGE(th) |
4-5-6V |
|
VCE(sat) |
1.85-2.4V |
|
ICM-IC PULSE |
180A |
|
IF(25°C) |
60A |
|
IF(HIGH TEMP) |
30A |
|
td(ON) |
42ns |
|
tr |
54ns |
|
td(off) |
142ns |
|
Trr |
110ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
MAGNACHIP |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field
Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only
the highest efficiency capable of switching behavior, but also it
is high ruggedness and excellent quality for solar inverter, UPS,
IH, welder and PFC application where low conduction losses
are essential
Features
High Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 60A
Eoff = 0.53mJ @ TC = 25°C
High Input Impedance
trr = 110ns (typ.) @diF/dt = 500A/ μs
Maximum Junction Temperature 175°C
ای سی دارای دو شیفت رجیستر 4 بیتی Dual 4-Bit Static Shift Register
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری6.8 کیلو اهم 10 وات 6.8K10W 6.8K
مقاومت کربنی5.6 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor
ترانزیستور PNP ولتاژ 65- ولت100- میلی آمپر Bipolar Transistors BJT -65V,-100mA PNP TRANSISTOR
