ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
600V, 50A,IGBT
High Speed Power Switching
RJH60F7BDPQ-A0
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
RENESAS
Low collector to emitter saturation voltage
uilt in fast recovery diode in one package
High speed switching
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع تغذیه سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
40A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
90A |
|
IC(HIGH TEMP) |
50A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
1.6-1.75V |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
48ns |
|
tr |
36ns |
|
td(off) |
122ns |
|
Trr |
140ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
15.6x19.9x4.8mm |
|
دمای کاری |
150+~55- |
|
برند |
RENESAS |
|
کشور سازنده |
ژاپن |
|
کیفیت |
ارجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
مقاومت5 % کربنی 2 وات
ای سی حافظه 16 مگابیت ، 16 مگا بیت ،نور فلش NOR Flash 16M, 2.7V, 66Mhz DataFlash
دیود پل تک فاز 600 ولت 2 آمپر شانه ای/ 2Amp 600V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
