ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت اینفینون/ 650V, 50 A fast and soft antiparallel diode/ پکیج TO-247 دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
IGBT 650V, 50 A fast and soft antiparallel diode
VCE=1.6V
ای جی بی تی فست 50 آمپر 650 ولت
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای خورشیدی
مدارات مخابراتی
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
50A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
80A |
|
IC(HIGH TEMP) |
56A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
305W |
|
VGE(th) |
3.2-4.8V |
|
VCE(sat) |
1.6-2.1V |
|
ICM-IC PULSE |
150A |
|
IF(25°C) |
40A |
|
IF(HIGH TEMP) |
27A |
|
td(ON) |
21nS |
|
tr |
15nS |
|
td(off) |
175nS |
|
Trr |
52nS |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
INFINEON |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اوریجینال |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
1A,100V ,150 ns ,DO-41 , Fast Recovery Diode دیودالترا فست 100 ولت 1 آمپر trr =150ns
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
ساخت نیپا بسیار با کیفیت ساخت ژاپن(فیلیپین) 105 درجه سایز 25 در 40 سری طول عمر بالا (HP) استفاده عمده در جوش های اینورتری 470UF/ 250V HP471W25AT 470UF /250V
دیود پل تک فاز 1000 ولت 3 آمپر / 3Amp 1000V. Single-Phase Silicon Bridge Rectifier
