برخی محصولات سایت

قلع کش آنتی استاتیک goot مدل GS-158 اورجینال

1,498,500 تومان قیمت 1,318,700 تومان

وادرات مستقیم از ژاپن -ساخت ژاپن MADE IN JAPAN

سبد خرید

18R-1/2W-5% - بسته 100 عددی

34,100 تومان قیمت 30,000 تومان

معمولی ساخت چین

سبد خرید

IRF4905

قیمت 63,100 تومان

اورجینال - کیفیت بالا (کیفیت بالای این قطعه بسیار مهم میباشد)

سبد خرید

2.2R-1/8W-5% - بسته 100 عددی

12,600 تومان قیمت 8,810 تومان

معمولی ساخت چین

سبد خرید

مقاومت 220R-5W

14,000 تومان قیمت 6,980 تومان

ساخت چین

سبد خرید

محصولات ویژه

470UF/450V NICHICON 30x45

قیمت 122,500 تومان

قیمت استثنایی-اورجینال نیچیکون ژاپن

سبد خرید

جدید

برد تغذیه CO2 اینورتری(وارداتی)

قیمت 2,656,600 تومان

کیفیت عالی - ساخت هنگ کنگ (کیفیت به مراتب بالاتر از ساخت داخلی)

سبد خرید

اسیلوسکوپ دیجیتال دو کانال 100MHz با فانگشن ژنراتور مدل FNIRSI-1014D

13,690,000 تومان قیمت 13,142,400 تومان

کیفیت بالا- اقتصادی

سبد خرید

50JR22/GT50JR22 اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

GT50JR22

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

تعداد

تخفیف

قیمت

8.0 %

~~122,100 تومان~~ 112,300 تومان

+20

9.1 %

~~120,600 تومان~~ 111,000 تومان

+100

10.8 %

~~118,400 تومان~~ 108,900 تومان

+500

12.4 %

~~116,200 تومان~~ 106,900 تومان

موجودی:

341

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

برند: TOSHIBA پکیج: TO-3P وزن: 4.8g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: IGBT معمولی و ماژول Discrete،سه پایه تمام IGBT ها قطعات الکترونیکی و داخلی ترانزیستور-ماسفت-IGBT همه قطعات داخلی دستگاه جوش

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	IGBT
سریIGBT	IGBT Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	600V
جریان کاری	50A
VCE	600V
IC(25°C)	50A
IC(HIGH TEMP)	44A
VGE	±20V
Ptot-PD	-
VGE(th)	4.5-7.5V
VCE(sat)	1.55-2.2V
ICM-IC PULSE	-
IF(25°C)	40A
IF(HIGH TEMP)	100A
td(ON)	-
tr	-
td(off)	-
Trr	-
IGBT PACK	1
Thermistors	-
ابعاد	15.5x20.3x4.5mm
دمای کاری	175+~55-
برند	TOSHIBA
کشور سازنده	ژاپن
کیفیت	اریجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

مشخصات بیشتر:

1. Applications
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. Features
(1) 6.5th generation
(2) The RC-IGBT consists of a Freewheeling Diode(FWD) monolithically integrated in an IGBT chip.
(3) Enhancement mode
(4) High-speed switching
IGBT : tf = 0.05 μs (typ.) (IC = 50 A)
FWD : trr = 0.35 μs (typ.) (IF = 15 A)
(5) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.55 V (typ.) (IC = 50 A)
(6) High junction temperature : Tj = 175 (max)