50JR22/GT50JR22 اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن
 دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات بیشتر:

1. Applications
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. Features
(1) 6.5th generation
(2) The RC-IGBT consists of a Freewheeling Diode(FWD) monolithically integrated in an IGBT chip.
(3) Enhancement mode
(4) High-speed switching
IGBT : tf = 0.05 μs (typ.) (IC = 50 A)
FWD : trr = 0.35 μs (typ.) (IF = 15 A)
(5) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.55 V (typ.) (IC = 50 A)
(6) High junction temperature : Tj = 175 (max)