برخی محصولات سایت

مقاومت 56K-2W

2,140 تومان قیمت 1,710 تومان

ساخت چین

سبد خرید

SVF3878PN/K3878 SILAN

قیمت 110,200 تومان

اریجینال سیلان-کیفیت خوب

سبد خرید

ترانس E28 200:6

قیمت 153,000 تومان

ساخت چین-کیفیت قابل قبول

سبد خرید

SLA-24VDC-SL-A

73,800 تومان قیمت 70,100 تومان

اریجینال سونگل کیفیت عالی

سبد خرید

خازن الکترولیتی 3300UF/6.3V

قیمت 6,240 تومان

کیفیت بالا-ساخت چین

سبد خرید

محصولات ویژه

MDS200-16

قیمت 1,786,900 تومان

اورجینال ساخت نیپا - کد JP ژاپن

سبد خرید

دسته هوای گرم 5 سیمه هیترهای GORDAK فابریکی

قیمت 522,200 تومان

واردات مستقیم -اورجینال گرداک

سبد خرید

MURP30040CT nippa

1,016,500 تومان قیمت 914,800 تومان

اورجینال نیپا-ساخت فیلیپین

سبد خرید

50JR22/GT50JR22 اورجینال توشیبا ژاپن-مونتاژ ژاپن

GT50JR22

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

تعداد

تخفیف

قیمت

8.0 %

~~176,600 تومان~~ 162,400 تومان

+20

9.1 %

~~174,400 تومان~~ 160,500 تومان

+100

10.8 %

~~171,200 تومان~~ 157,500 تومان

+500

12.5 %

~~168,000 تومان~~ 154,600 تومان

موجودی:

140

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

برند: TOSHIBA پکیج: TO-3P وزن: 4.8g دیتاشیت

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: IGBT معمولی و ماژول Discrete،سه پایه تمام IGBT ها قطعات الکترونیکی و داخلی ترانزیستور-ماسفت-IGBT همه قطعات داخلی دستگاه جوش

نقد و بررسی اجمالی

ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد / TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 600V,50A ,TO-3P

TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
600V,50A MOSFET,TO-3P
ای جی بی تی قدرت 600 ولت 50 آمپر توشیبا ژاپن
دریافت دیتا شیت
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive
Applications

موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC

مقاومت درین سورس بسیار پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
600 ولت 50آمپر

استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	IGBT
سریIGBT	IGBT Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	600V
جریان کاری	50A
VCE	600V
IC(25°C)	50A
IC(HIGH TEMP)	44A
VGE	±20V
Ptot-PD	-
VGE(th)	4.5-7.5V
VCE(sat)	1.55-2.2V
ICM-IC PULSE	-
IF(25°C)	40A
IF(HIGH TEMP)	100A
td(ON)	-
tr	-
td(off)	-
Trr	-
IGBT PACK	1
Thermistors	-
ابعاد	15.5x20.3x4.5mm
دمای کاری	175+~55-
برند	TOSHIBA
کشور سازنده	ژاپن
کیفیت	اریجینال توشیبا ژاپن
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

مشخصات بیشتر:

1. Applications
• Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Note: The product(s) described herein should not be used for any other application.
2. Features
(1) 6.5th generation
(2) The RC-IGBT consists of a Freewheeling Diode(FWD) monolithically integrated in an IGBT chip.
(3) Enhancement mode
(4) High-speed switching
IGBT : tf = 0.05 μs (typ.) (IC = 50 A)
FWD : trr = 0.35 μs (typ.) (IF = 15 A)
(5) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.55 V (typ.) (IC = 50 A)
(6) High junction temperature : Tj = 175 (max)