75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
650V |
| (IC(25°C |
100A |
|
(IC(HIGH TEMP |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
438W |
|
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
|
(VCE(sat |
1.5-1.75-2V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
( IF(25°C |
100A |
|
(IF(HIGH TEMP |
75A |
|
(td(ON |
110ns |
|
tr |
48ns |
|
(td(off |
270ns |
|
Trr |
80ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
ای جی بی تی فست 50 آمپر 600 ولت رنساس اریجینال ژاپن / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا / 600V, 50A,IGBT / High Speed Power Switching / RJH60F7BDPQ-A0
ماژول 1200 ولت 75 آمپر -سیلان اورجینال / 1200V,75A, IGBT Modules ,SILAN,2-PACK,Half Bridge
BZX55C7V5 Zener Diodes 7.5V 500mW دیود زنر7.5 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 1200 ولت دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 40A, 1200 V, Field Stop Trench IGBT
