HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
17A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
|
IDM-IDP |
48A- |
|
PD(TA=25°C) |
3.8W |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.175Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
55ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
47-71ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود فست 200 ولت 25 آمپر سیلان چین -کاتد مشترک / Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,25A,TO-3P,trr=20ns ,VF=0.98V
مقاومت کربنی4.7 اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
ترایاک 1 آمپر 600 ولت،تریاک 1A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-92
