HEXFET® Power MOSFET, P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V ,TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 0.175
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
TRANSISTOR, P-channel MOSFET,IRF9Z24N
12A ,55V ,TO-220AB
ماسفت قدرت 55 ولت(منفی) 17 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 0.175
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
مقاومت درین سورس پایین
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
55V- |
|
جریان کاری |
17A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
55V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2-4V |
|
ID(25°C) |
12A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
8.5A- |
|
IDM-IDP |
48A- |
|
PD(TA=25°C) |
3.8W |
|
PD(TC=25°C) |
45W |
| RDS(on) |
0.175Ω |
|
td(ON) |
13ns |
|
tr |
55ns |
|
td(off) |
23ns |
|
Trr |
47-71ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
l Fully Avalanche Rated
ماسفت قدرت 500 ولت 25 آمپر سیلان چین/ مناسب جهت جایگزینی نمونه فوجی / N CHANNEL SILICON POWER MOSFET,500V,25A TO-3P/ Rds=0.27Ω
ترایاک 8 آمپر 600 ولت ،تریاک 8A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-220
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری3.3 کیلو اهم 10 وات 3.3K10W 3.3K
مقاومت کربنی5.6 مگا اهم 1/2 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.5w Axial resistor
