HEXFET® Power MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 12 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 16.5mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
14A- |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
14A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
10A- |
|
IDM-IDP |
56A- |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
79W |
| RDS(on) |
0.20Ω |
|
td(ON) |
15ns |
|
tr |
58ns |
|
td(off) |
45ns |
|
Trr |
130-190ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
10.54x15.24x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
مشخصات بیشتر:
• 12A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
برد خام 6 خازنی دستگاه 12 ماسفتی - 2 رله-PTC و NTC دار- وریستور دار - کیفیت بسیار بالا-ضخامت بالا و طول عمر زیاد
REGULATING PULSE WIDTH MODULATORS آیسی PWM اریجینال ST اس ام دی 100 هرتز تا 500 کیلو هرتز
4 خازن 680 میکرو فاراد450 ولت -برد4 خازنی دستگاه جوش سه فاز کیفیت بالا و صنعتی رله سونگل اصل - PTC 15P ژاپنی قطعات دیپ - برد آبی رنگ AT-250G-4C-3PH
دستگاه تیغ تیز کن برای تیغ های کف چین بردهای الکترونیک-ماکزیم سایز تیغ 250 میلیمتر - زاویه تیغ 18 تا 25 درجه-سرعت چرخش 2800 دور - سرعت 250 دور تیغ -توان 750w
