50A, 650 V, High Speed Fieldstop Trench IGBT ای جی بی تی 50 آمپر 650 ولت MAGNA CHIP اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا مگنا چیپ-مگناچیپ
ای جی بی تی الترا فست 40 آمپر 650 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
50A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
100A |
|
IC(HIGH TEMP) |
50A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
428W |
|
VGE(th) |
4-5-6V |
|
VCE(sat) |
1.85V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
IF(25°C) |
50A |
|
IF(HIGH TEMP) |
30A |
|
td(ON) |
42ns |
|
tr |
54ns |
|
td(off) |
142ns |
|
Trr |
110ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
MAGNACHIP |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت بالا |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
MBQ50T65FDSC/50T65FDSC
MBQ50T65FDSC
MBQ50T65FESC
50T65FDSC
MBQ50T65FDSC FESC
MBQ50T65PES
MBQ50T65FESC/50T65FESC
HEXFET® Power MOSFET, N CHANNEL POWER MOSFET, 55V, 53A, TO-220AB ماسفت قدرت 55 ولت 35 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 16.5mΩ
ای جی بی تی قدرت 1100 ولت 60 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1100V,60A ,TO-3P
مقاومت5 % کربنی 1 وات
Schottky Barrier Rectifier, 3A, 60V دیود شاتکی 60 ولت 3 آمپر -