25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
1200V |
جریان کاری |
25A |
VCE |
1200V |
IC(25°C) |
50A |
IC(HIGH TEMP) |
25A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
365W |
VGE(th) |
5.1-5.8-6.4V |
VCE(sat) |
1.6-1.8V |
ICM-IC PULSE |
75A |
IF(25°C) |
50A |
IF(HIGH TEMP) |
25A |
td(ON) |
- |
tr |
- |
td(off) |
324ns |
Trr |
- |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.13x21.10x5.21mm |
دمای کاری |
175+~40- |
برند |
INFINEON |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
ویژگی ها:
• Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
• Body diode clamps negative voltages
• Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
کاربردها:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
ترانزیستور NPN ولتاژ300 ولت 1 آمپر NPN SILICON POWER TRANSISTOR 300V,1A TO-126
درایور تریاک اپتوکوپلری 400 ولت 1 کانال 5K ولت ایزوله،اپتو ترایاک 6 پین Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel ,DIP-6
ترایاک گیت حساس 4 آمپر 600 ولت- 600V,4A Sensitive Gate Triacs
ولوم تک (3 پایه) 100 کیلو اهم فلزی / B100K-20MM