HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 11.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
19A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
19A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A- |
|
IDM-IDP |
76A- |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.150-0.200Ω |
|
td(ON) |
16-20ns |
|
tr |
65-100ns |
|
td(off) |
47-70ns |
|
Trr |
170ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 23A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
600V, 40 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ماژول تریستور/دیود 274 آمپر 1800 ولت سمیکرون اریجینال 274A,1800V Thyristor / Diode Modules
مقاومت کربنی1.2 کیلو اهم 1/4 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.25w Axial resistor
درایور PWM اریجینال با فرکانس کاری 500 کیلو هرتز Current Mode PWM Controller,DIP-8
