HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 11.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
19A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
19A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A- |
|
IDM-IDP |
76A- |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.150-0.200Ω |
|
td(ON) |
16-20ns |
|
tr |
65-100ns |
|
td(off) |
47-70ns |
|
Trr |
170ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 23A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
FQA11N90 / FQA11N90-F109 N-Channel QFET® MOSFET , 900 V, 11.4 A, 960 mΩ ماسفت 900ولت 11 آمپر فیرچایلد اصل المان
پل دیود تکفاز معمولی 50 آمپر 1000 ولت بدنه فلزی / 50A,100V ,SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
ای سی تغذیه 10 وات،آفلاین سوئیچر Energy Effi cient, Offl ine Switcher with Enhanced Flexibility and Extended Power Range
ترایاک 25 آمپر 600 ولت،تریاک 25A ,600V, logic level and standard Triacs,TO-3P
