HEXFET® Power MOSFET 23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 11.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
HEXFET® Power MOSFET
23A, 100V, 0.117 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
ماسفت قدرت P کانال 100 ولت 23 آمپر IR فیلیپین
RDS(on) = 11.7mΩ
موارد استفاده :
انواع اینورتر
انواع سوئیچینگ ها
انواع UPS
انواع مبدل های DC به DC
دوام بسیار بالا و کیفیت بالا
استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت
16 و 20 ماسفتی
برد بالایی دستگاه جوش اینورتری
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V- |
|
جریان کاری |
19A- |
|
نوع کانال |
P-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V- |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
2V-4V- |
|
ID(25°C) |
19A- |
|
ID(HIGH TEMP) |
12A- |
|
IDM-IDP |
76A- |
|
PD(TA=25°C) |
1W |
|
PD(TC=25°C) |
150W |
| RDS(on) |
0.150-0.200Ω |
|
td(ON) |
16-20ns |
|
tr |
65-100ns |
|
td(off) |
47-70ns |
|
Trr |
170ns |
|
MOSFET PACK |
1 |
|
ابعاد |
mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR فیلیپین |
| نوع مونتاژ | DIP |
| ویژگی خاص | - |
مشخصات بیشتر:
• 23A, 100V
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
رله 10 آمپر 12 ولت رله 12 ولت میلون کیفیت عالی سونگل 5 پین 10A 250VAC/30VDC کیفیت و طول عمر بالا
دیود شاتکی 600 ولت 9 آمپر / Silicon Carbide Schottky Diode 600V,9A,QC=15nC
بردخام تک رو تغذیه دوبل 24 و 20- ولت و +-۱۵ ولت فایبرگلاس با کیفیت - کیفیت بسیار بالا تولید آترین ورودی AC و DC
