ترانزیستور قدرت 100 ولت3 آمپر - isc Silicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 200(Min)@ IC= 0.5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Driver for solenoid and motor, series regulator and
general purpose applications.
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
ترانزیستور |
سری ترانزیستور |
NPN Transistor |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-220F |
ولتاژکاری |
100V |
جریان کاری |
3A |
VCBO |
100V |
VCEO |
80V |
VEBO |
- |
IC |
3A |
ICM-ICPULSE |
- |
IB |
- |
IBM |
- |
VCE(sat) |
0.5V |
VBE(on)-VBE(sat) |
- |
hFE(min) |
- |
hFE(max) |
- |
ptot-PD |
- |
FT |
- |
ابعاد |
- |
دمای کاری |
150+~65- |
برند |
|
کشور سازنده |
|
کیفیت |
اورجینال-کیفیت بالا |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص | - |
3296W-1-502LF/ 5KOhm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 5K Ohm مولتی ترن 502
LM324DR Texas Instruments, Precision, Op Amp, 1.2MHz, 5 → 28 V, 14-Pin SOIC آیسی آمپلی فایر(تقویت کننده) با 4 تقویت کننده اریجینال تگزاز
مقاومت کربنی47 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
بردخام نیم پل دارای 4 عدد IGBT بسیار خوش ساخت (براحتی دستگاه جوش تولید کنید) پیچ خور استاندارد-درایور روی برد-کدAT-IG-MDL-4NH -ضخامت و کیفیت بسیار بالا