فت N کانال جهت تقویت کننده ها 25 ولت 100 میلی آمپر n-channel JFETs VHF BuFFer Amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (2S0C) See Section 6
Gate·Drain or Gate·Source Voltage ................ -25 V
Gate Current ............................... 100 rnA
Total Device Dissipation (25°C Case Temperature) ...... 3 W l Power Derating (to 150°C) .................. 24 mWrC
Storage Temperature Range .............. -55 to +150°C .~: Operating Temperature Range ............. -55 to +150°C
Lead Temperature
(1/16" from case for 10 seconds) ............... 300°C
مقاومت کربنی12کیلو اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
کانکتور مخابراتی مربعی صاف 4 پین(مادگی) - فاصله پایه 2.54 میلیمتر 250 ولت 3 آمپر
ماسفت قدرت 600 ولت6 آمپر HEXFET® Power MOSFET, IRF540N, N CHANNEL POWER MOSFET, 600V, 6A,
N-channel MOSFER 28V, 11A SO-8 ماسفت اس ام دی 28 ولت 11 آمپر
