ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 75A, 650 V, High Speed Switching & Low Power Loss
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
650V |
| IC(25°C) |
- |
|
IC(HIGH TEMP) |
- |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
- |
|
VGE(th) |
- |
|
VCE(sat) |
- |
|
ICM-IC PULSE |
- |
|
IF(25°C) |
- |
|
IF(HIGH TEMP) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.26x21.46x5.31mm |
|
دمای کاری |
175+~40- |
|
برند |
OTHER |
|
کشور سازنده |
کره جنوبی |
|
کیفیت |
ارجینال-کیفیت خوب |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
high swit
ای سی تقویت کننده،اپ امپ 4 تایی با پهنای باند 1.3 مگاهرتز و ولتاژ کاری 32 ولت LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS
ماسفت قدرت 500 ولت 18 آمپر / Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV) 500V,18A MOSFET,TO-3P
باتری 1000mah -مینی اسیلوسکوپ قابل حمل دیجیتال تک کانال 200 کیلوهرتز-سرعت نمونه برداری2.5MSa/s -صفحه نمایش 2.4 اینچی با کیفیت-شارژ بیش از 5 ساعت
خازن( فیلم)پلی استر 33 نانوفاراد 100 ولت 33NF/100V
