MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 200 ولت 65 آمپر RDS(on) = 19.7mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Features
Advanced Process Technology
Key Parameters Optimized for PDP Sustain,
Energy Recovery and Pass Switch Applications
Low EPULSE Rating to Reduce Power
Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery
and Pass Switch Applications
Low QG for Fast Response
High Repetitive Peak Current Capability for
Reliable Operation
Short Fall & Rise Times for Fast Switching
175°C Operating Junction Temperature for
Improved Ruggedness
Repetitive Avalanche Capability for Robustness
and Reliability
Class-D Audio Amplifier 300W-500W
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
200V |
|
جریان کاری |
65A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
200V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
65A |
|
ID(HIGH TEMP) |
46A |
|
IDM-IDP |
260A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
برد6خازنی دستگاه جوش مدل 250 یا 200 آمپری(بیشتر IGBT ) کیفیت بالا و صنعتی استفاده از خازن با کیفیت 560 میکروفاراد 450 ولت یا 400 ولت دو رله PTC دار قطعات دیپ - برد سبز یا آبی رنگ
50KOhm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور خوابیده 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 50K Ohm مولتی ترن 503
مقاومت کربنی330 اهم 1/8 وات با تلرانس 1 درصد - پنج رنگ 0.125w Axial resistor
SMPS MOSFET 20A, 500V, 0.240 Ohm, N-Channel Power MOSFETs ماسفت قدرت N کانال 500 ولت 20 آمپر فیلیپین RDS(on) = 240mΩ