برخی محصولات سایت

مقاومت 51K-0805-5% SMD - بسته 100 تایی

29,300 تومان قیمت 20,500 تومان

ساخت چین

سبد خرید

560R-1/4W-5% - بسته 100 عددی

قیمت 30,600 تومان

معمولی ساخت چین

سبد خرید

مقاومت 6.2K-0805-5% SMD - بسته 100 تایی

29,300 تومان قیمت 20,500 تومان

ساخت چین

سبد خرید

LM2576S-12 HTC

قیمت 168,300 تومان

اورجینال - ساخت کره جنوبی

سبد خرید

جدید

دیود زنر47 ولت 1 وات

قیمت 2,810 تومان

کیفیت بالا

سبد خرید

محصولات ویژه

ژنراتور دیزلی 550KVA کومینز QSX15-G8 مدل C550D5

قیمت

اورجینال ساخت آمریکا- (قیمت: تماس نمایید 09122991355)

سبد خرید

MDS200-16

قیمت 3,306,600 تومان

اورجینال ساخت نیپا - کد JP ژاپن

سبد خرید

KA3525(SA3525DC) SILAN

70,200 تومان قیمت 61,800 تومان

سیلان چین -کیفیت بالا

سبد خرید

TSA11N90M کیفیت بالا -ساخت چین

ماسفت TSA11N90M

TSA11N90M N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر

تعداد

تخفیف

قیمت

216,000 تومان

+20

1.7 %

212,400 تومان

+100

3.3 %

208,800 تومان

موجودی:

افزودن به سبد خرید حذف از سبد

توجه: حداقل تعداد خرید این محصول 1 عدد می باشد.

جایگزین: FQA11N90/11N90 برند: OTHER پکیج: TO-3P وزن: 4.4g

دسته بندی اصلی: الکترونیک جوش و برش

گروه فرعی: ماسفت Discrete، سه پایه تمام ماسفت ها قطعات الکترونیکی و داخلی

نقد و بررسی اجمالی

TSA11N90M N-Channel MOSFET , 900 V, 11 A ماسفت 900 ولت 11 آمپر

مشخصات بیشتر :

ماسفت n کانال 900 ولت 11 آمپر

استفاده عمده در انواع اینورترها- سوئیچینگ ها و دستگاه جوش های اینوتری

مشخصات:

مشخصات - پارامترها	مقادیر
خانواده	ماسفت
سریMOSFET-FET	MOSFET-Transistors
تعداد پین	3
پکیج	TO-3P
ولتاژکاری	900V
جریان کاری	11A
نوع کانال	N-CHANNEL
VDS-VDSS	900V
VGS-VGSS	±30V
VGS(th)	3.5-4-4.5V
ID(25°C)	11A
ID(HIGH TEMP)	-
IDM-IDP	44A
PD(TA=25°C)	2.5W
PD(TC=25°C)	285W
RDS(on)	0.83-1Ω
td(ON)	37-56ns
tr	32-48ns
td(off)	124-186ns
Trr	2µS
MOSFET PACK	1
ابعاد	15.5x19.5x4.5mm
دمای کاری	150+~55-
برند	FUJI
کشور سازنده	چین
کیفیت	ارجینال
نوع مونتاژ	DIP
ویژگی خاص	-

Features:

Maintains Both Low Power Loss and Low Noise
Lower R_DS(ON) Characteristic
More Controllable Switching dV/dt By Gate Resistance
Smaller V_GS Ringing Waveform During Switching
Narrow Band of the Gate Threshold Voltage (4.0 ±0.5 V)
High Avalanche Durability
Applications:
Switching Regulators
UPS
DC-DC Converters

MOSFET; N-Channel; FAP-E3 Planar; 900V; 11A; 285W; TO-3P(Q

Technical
Drain to Source Breakdown Voltage	900 V
Drain to Source Resistance	1 Ω
Element Configuration	Single
Gate to Source Voltage (Vgs)	30 V
Max Operating Temperature	150 °C
Min Operating Temperature	-55 °C
Power Dissipation	285 W
Turn-Off Delay Time	124 ns
Turn-On Delay Time	37 ns
Dimensions
Height	0.768 inch
Length	0.61 inch
Width	0.177 inch
Compliance
RoHS	Compliant