75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
600V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
600V |
| IC(25°C) |
100A |
|
IC(HIGH TEMP) |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
595W |
|
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
|
VCE(sat) |
1.5-1.75-2V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
IF(25°C) |
100A |
|
IF(HIGH TEMP) |
75A |
|
td(ON) |
110ns |
|
tr |
48ns |
|
td(off) |
270ns |
|
Trr |
80ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~50- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
4 پین (پایه)کلید 30 آمپر 220 ولت سخت چین 30 آمپر واقعی کیفیت خوب 30A ZH02-Ax zhuohong
دیود فست 200 ولت 20 آمپر سیلان چین - کاتد مشترک /Low-Loss Fast Recovery Diode 200V,20A,TO-3P D9202
