75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
75A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
100A |
IC(HIGH TEMP) |
75A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
595W |
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
VCE(sat) |
1.5-1.75-2V |
ICM-IC PULSE |
200A |
IF(25°C) |
100A |
IF(HIGH TEMP) |
75A |
td(ON) |
110ns |
tr |
48ns |
td(off) |
270ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
دمای کاری |
175+~50- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
1200V,75A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 75 آمپر -سمیکرون اریجینال
500Ohm مولتی ترن 1/2 وات 25 دور 1/2W Multiturn Cermet Trimming Potentiometer 500 Ohm مولتی ترن 3296W-1-501LF
ترانزیستور NPN قدرت 400 ولت15 آمپر Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP ST
مقاومت کربنی39 اهم 1/8 وات با تلرانس 5 درصد - چهار رنگ 0.125w Axial resistor