75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 600 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 600 ولت اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
خانواده |
IGBT |
سریIGBT |
IGBT Transistors |
تعداد پین |
3 |
پکیج |
TO-247 |
ولتاژکاری |
600V |
جریان کاری |
75A |
VCE |
600V |
IC(25°C) |
100A |
IC(HIGH TEMP) |
75A |
VGE |
±20V |
Ptot-PD |
595W |
VGE(th) |
4.5-5.5-6.5V |
VCE(sat) |
1.5-1.75-2V |
ICM-IC PULSE |
200A |
IF(25°C) |
100A |
IF(HIGH TEMP) |
75A |
td(ON) |
110ns |
tr |
48ns |
td(off) |
270ns |
Trr |
80ns |
IGBT PACK |
1 |
Thermistors |
- |
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
دمای کاری |
175+~50- |
برند |
ON SEMI |
کشور سازنده |
- |
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
نوع مونتاژ | DIP |
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
ای سی 6 گیت نات،معکوس کننده اشمیت تریگر HEX SCHMITT TRIGGER
BZX55C62 Zener Diodes 62V 500mW دیود زنر62 ولت 500 میلی وات(500میلی وات)
40A, 1200 V,High speed DuoPack: IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel diode ای جی بی تی 40 آمپر 1200 ولت ایفینیون اورجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
دیود فست / عمومی 45 ولت 200 میلی آمپر /200mA ,45V,DO-35 , DO35