75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت on semi اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
75A, 650 V, Low Loss DuoPack :VCEsat = 1.70 V
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت on semi اریجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
ای جی بی تی الترا فست 75 آمپر 650 ولت اورجینال
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
موارد مصرف:
استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات:
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
IGBT |
|
سریIGBT |
IGBT Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-247 |
|
ولتاژکاری |
650V |
|
جریان کاری |
75A |
|
VCE |
650V |
| (IC(25°C |
100A |
|
(IC(HIGH TEMP |
75A |
|
VGE |
±20V |
|
Ptot-PD |
595W |
|
(VGE(th |
4.5-5.5-6.5V |
|
(VCE(sat |
1.5-1.75-2V |
|
ICM-IC PULSE |
200A |
|
( IF(25°C |
100A |
|
(IF(HIGH TEMP |
75A |
|
(td(ON |
110ns |
|
tr |
48ns |
|
(td(off |
270ns |
|
Trr |
80ns |
|
IGBT PACK |
1 |
|
Thermistors |
- |
|
ابعاد |
16.25x21.34x5.30mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
ON SEMI |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
اریجینال خرید از دیجی کی اتریش |
| نوع مونتاژ | DIP |
|
ویژگی خاص |
دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا |
NGTB75N60FL2WG
IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and
cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides
superior performance in demanding switching applications, offering
both low on state voltage and minimal switching loss.
Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5 s Short−Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Welding
ترانس خروجی(ترانس رکتیفایر) دستگاه ماسفتی EER42X15 20:4 HS بسیار با کیفیت نسبت دور 20:4 14 پین و 180 درجه
خازنی در رده کیفیت بالا-ساخت چین سایز 18*30 خازن الکترولیت
مقاومت5 % کربنی 5 وات کیفیت بالا و صنعتی
مقاومت5 % کربنی 1 وات
