MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB HEXFET Power MOSFET ماسفت قدرت 100 ولت 97 آمپر RDS(on) = 9mΩ
دریافت کتابخانه( ALITUM DESIGNER )
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
|
مشخصات - پارامترها |
مقادیر |
|
خانواده |
ماسفت |
|
سریMOSFET-FET |
MOSFET-Transistors |
|
تعداد پین |
3 |
|
پکیج |
TO-220 |
|
ولتاژکاری |
100V |
|
جریان کاری |
97A |
|
نوع کانال |
N-CHANNEL |
|
VDS-VDSS |
100V |
|
VGS-VGSS |
±20V |
|
VGS(th) |
- |
|
ID(25°C) |
97A |
|
ID(HIGH TEMP) |
69A |
|
IDM-IDP |
390A |
|
PD(TA=25°C) |
- |
|
PD(TC=25°C) |
- |
| RDS(on) |
- |
|
td(ON) |
- |
|
tr |
- |
|
td(off) |
- |
|
Trr |
- |
|
MOSFET PACK |
- |
|
ابعاد |
10.54x10.54x4.69mm |
|
دمای کاری |
175+~55- |
|
برند |
IR |
|
کشور سازنده |
- |
|
کیفیت |
ارجینال IR |
| نوع مونتاژ | DIP |
ای جی بی تی قدرت 1200 ولت 40 آمپر توشیبا ژاپن با دیود هرزگرد TOSHIBA Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT 1200V,40A ,TO-3P
مقاومت سرامیکی - مقاومت آجری10 اهم 5 وات 10R5W 10R
Current Mode PWM Controller,DIP-8 درایور PWM اریجینال
پاور ماسفت 20 آمپر (در دمای ۲۵ درجه)500 ولت ویشای اورجینال / دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا 20A, 500 V, Power MOSFET,TO-247/
