خریدار عزیز اگر سفارش شما از طریق پست یا تیپاکس ارسال شده است
از طریق رهگیری سفارشات سایت آترین ،
شماره مرسوله پست یا شماره بارکد تیپاکس را دریافت نمایید
و با مراجعه به سایت اداره پست یا سایت تیپاکس سفارش را رهگیری نمایید.
ای جی بی تی فست 160 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 160 A Ultrafast IGBT
25A,1200 V,Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode ای جی بی تی 25 آمپر 1200 ولت ایفینیون اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
600V,41A,IGBT Standard Speed IGBT ای جی بی تی 27 آمپر 600 ولت بدون دیود هرزگرد
""تست شود""" 650V, 40 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 40 آمپر 650 ولت فیرچایلد دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
600V, 75 A Field Stop IGBT ای جی بی تی فست 75 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال بدون دیود هرزگرد
600V, 77 A, 41 mΩV N-Channel SuperFET® II Easy-Drive MOSFET ماسفت قدرت 600 ولت77 آمپر فیرچایلد با دیود فست هرزگرد
MOSFET N-Channel 600V 2.6A (Tc) 36W ماسفت قدرت 600 ولت2.6 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
N-Channel QFET® MOSFET 900V, 6.3 A, 1.9 Ω ماسفت قدرت 900 ولت6.3 آمپر فیرچایلد با دیود هرزگرد
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS, TO-247 ماسفت قدرت 600 ولت 53 آمپر infineon اریجینال RDS(on) = 0.07Ω کمترین مقدار در دنیا!!
HEXFET® Power MOSFET, IRF640N, N CHANNEL POWER MOSFET, 200V, 18A, TO-220AB ماسفت قدرت 200 ولت 18 آمپر IR فیلیپین RDS(on) = 15mΩ
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOS VI) 500V,20A MOSFET,TO-3P ماسفت قدرت 500 ولت 20 آمپر توشیبا ژاپن
